Analysis of Charge Trapping and Breakdown Mechanism in High-K Dielectrics with Metal Gate Electrode Using Carrier Separation

• المؤلفون الرئيسيون: Loh, W.Y., Cho, B.C., Joo, M.S., Li, M.F., Chan, D.S.H., Mathew, S., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83486

Technical Digest - International Electron Devices Meeting