Integration of Al segregated NiSiGe/SiGe source/drain contact technology in p-FinFETs for drive current enhancement

• المؤلفون الرئيسيون: Sinha, M., Lee, R.T.P., Devi, S.N., Lo, G.-Q., Chor, E.F., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83851
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1149/1.3118959