Interface barrier abruptness and work function requirements for scaling Schottky source-drain MOS transistors

10.1109/SISPAD.2006.282857

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Agrawal, N., Chen, J., Hui, Z., Yeo, Y.-C., Lee, S., Chan, D.S.H., Li, M.-F., Samudra, G.S.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	Dual slope Metal gate Metal source/drain Schottky source-drain TBGD
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83854
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة