Strain enhancement in spacerless N-channel FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors

• المؤلفون الرئيسيون: Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Lee, R.T.P., Zhu, M., Hoe, K.-M., Samudra, G.S., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84228
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/ESSDERC.2007.4430901