Detection of oxidation stacking faults in silicon wafers by a multipass Fabry-Perot Rayleigh-Brillouin scattering spectrometer

Journal of Crystal Growth

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ng, S.C., Taijing, L.
مؤلفون آخرون: PHYSICS
التنسيق: Others
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/98970
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore