High-energy heavy ion beam annealing effect on ion beam synthesis of silicon carbide
Silicon carbide (SiC) is a superior material potentially replacing conventional silicon for high-power and high-frequency microelectronic applications. Ion beam synthesis (IBS) is a novel technique to produce large-area, high-quality and ready-to-use SiC crystals. The technique uses high-fluence car...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | دورية |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=80055101622&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/49810 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|