Application of Bond-valence Modelling Method for Illustration of Point Defects in Semiconductors
Point defects in semiconductors cause many considerable behaviours of these materials. This article introduces a procedure for modelling of point defects using a structural approach often referred to as a bond-valence method. This method minimalizes the computation cost and facilitates a contruction...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Hoang, Nam Nhat |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
H. : ĐHQGHN
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/62915 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Vietnam National University, Hanoi |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Measurement-based quantum computing with valence-bond-solids
بواسطة: Kwek, L.C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Screening of the alkali-metal ion containing materials from the Inorganic Crystal Structure Database (ICSD) for high ionic conductivity pathways using the bond valence method
بواسطة: Avdeev, M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Bond valence analysis of structure-property relationships in solid electrolytes
بواسطة: Adams, S.
منشور في: (2014) -
From bond valence maps to energy landscapes for mobile ions in ion-conducting solids
بواسطة: Adams, S.
منشور في: (2014) -
THE ROLE OF OCTOPAMINERGIC AND TYRAMINERGIC CIRCUITS IN INNATE VALENCE
بواسطة: ZHANG XIANYUAN
منشور في: (2018)