Capacitance of p- and n-doped graphenes is dominated by structural defects regardless of the dopant type
Graphene materials possess attractive properties that can be used for the fabrication of supercapacitors with enhanced energy-storage performance. It has been shown that both boron and nitrogen doping of graphene can improve the intrinsic capacitance of the material relative to the undoped precursor...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/101684 http://hdl.handle.net/10220/19719 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |