AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors with enhanced device efficiency

AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors with enhanced device efficiency

AlGaN/GaN HEMT structures have gained significant attention in recent years due to their wide range of applications in power and optoelectronics, including electric vehicles, environmental monitoring, and satellite communication. These structures possess excellent properties such as wide bandgap, hi...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ahmed Salah Hawash Razeen
مؤلفون آخرون: Radhakrishnan K
التنسيق: Thesis-Doctor of Philosophy
اللغة:English
منشور في: Nanyang Technological University 2024
الموضوعات:
Engineering
AlGaN/GaN
HEMT
UV photodetectors
Nanophotonics
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/177664
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

https://hdl.handle.net/10356/177664

مواد مشابهة