AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors with enhanced device efficiency
AlGaN/GaN HEMT structures have gained significant attention in recent years due to their wide range of applications in power and optoelectronics, including electric vehicles, environmental monitoring, and satellite communication. These structures possess excellent properties such as wide bandgap, hi...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thesis-Doctor of Philosophy |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2024
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/177664 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |