Characterization of Si-based materials for surface micromachined microbolometer applications

In this thesis, the integration of CMOS devices with Si-based microbolometer sensor on the same silicon chip was studied. Silicon based material, Poly-Si and Poly-SiGe layers were deposited as the Infra-Red (IR) sensing film as well as the CMOS gate electrode. Microbolometer test structures and CMOS...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Zhang, Guowei
مؤلفون آخرون: Tse, Man Siu
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/3967
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University