Development and characterization of deep reactive ion etching technology for through silicon interconnection

Deep reactive ion etching (DRIE) is an enabling technology for three dimensional (3D) integration of planar integrated circuits. This work focuses on various challenges associated with deep reactive ion etching technology for realizing through silicon interconnection for 3D Microsystems application....

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Nagarajan, Ranganathan
مؤلفون آخرون: Pey Kin Leong
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2010
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/41775
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!