Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode
A laser diode is a laser where the active medium is a semiconductor similar to that found in a light-emitted diode. [4th Award]
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Dong, Bin |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Fan Weijun |
التنسيق: | Student Research Poster |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/84816 http://hdl.handle.net/10220/9102 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Study of interdiffusion in GaAsSbN∕GaAs quantum well structure by ten-band k⋅p method
بواسطة: Dang, Y. X., وآخرون
منشور في: (2013) -
Design of 1.55 um InGaAsNBi/GaAs quantum well laser
بواسطة: Kwan, Zi Jian
منشور في: (2017) -
Design of GaAsNBi/GaAs quantum well laser with emission wavelength of 1.55um
بواسطة: Chen, Ruiming
منشور في: (2017) -
Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
بواسطة: Li, Chaoyong.
منشور في: (2009) -
Intersubband transitions in InGaAsN/GaAs quantum wells
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2013)