Microsecond dark-exciton valley polarization memory in two-dimensional heterostructures
Transition metal dichalcogenides have valley degree of freedom, which features optical selection rule and spin-valley locking, making them promising for valleytronics devices and quantum computation. For either application, a long valley polarization lifetime is crucial. Previous results showed that...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Jiang, Chongyun, Xu, Weigao, Rasmita, Abdullah, Huang, Zumeng, Li, Ke, Xiong, Qihua, Gao, Wei-bo |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/86493 http://hdl.handle.net/10220/46155 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Optically induced topological spin-valley Hall effect for exciton polaritons
بواسطة: Banerjee, R., وآخرون
منشور في: (2021) -
Robust room temperature valley Hall effect of interlayer excitons
بواسطة: Huang, Zumeng, وآخرون
منشور في: (2021) -
GATE CONTROLLED VALLEY POLARIZER AND ANALYZER IN BILAYER GRAPHENE
بواسطة: CHEN HAO
منشور في: (2020) -
Observation of strong valley magnetic response in monolayer transition metal dichalcogenide alloys of Mo₀.₅W₀.₅Se₂ and Mo₀.₅W₀.₅Se₂/WS₂ heterostructures
بواسطة: Wu, Lishu, وآخرون
منشور في: (2022) -
Opto-valleytronics in the 2D van der Waals heterostructure
بواسطة: Rasmita, Abdullah, وآخرون
منشور في: (2021)