Deterministic conversion between memory and threshold resistive switching via tuning the strong electron correlation
Intensive investigations have been launched worldwide on the resistive switching (RS) phenomena in transition metal oxides due to both fascinating science and potential applications in next generation nonvolatile resistive random access memory (RRAM) devices. It is noteworthy that most of these oxid...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2013
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/96101 http://hdl.handle.net/10220/10084 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|