A PAE of 17.5% Ka-band balanced frequency doubler with conversion gain of 20 dB
A frequency doubler from 27 to 41 GHz fabricated in 0.13-μm SiGe BiCMOS technology with a maximum output power of 8 dBm and a power added efficiency (PAE) of 17.5% at dc power consumption of 35 mW is presented. It consists of a balun, a driver amplifier (DA), a common-base (CB) core and a medium pow...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Li, Jiankang, Lu, Zhong, Xiong, Yong-Zhong, Hou, Debin, Wang, Ren, Goh, Wang Ling, Wu, Wen |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97923 http://hdl.handle.net/10220/13233 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A 27–41 GHz frequency doubler with conversion gain of 12 dB and PAE of 16.9%
بواسطة: Li, Jiankang, وآخرون
منشور في: (2013) -
A D-band cascode amplifier with 24.3 dB gain and 7.7 dBm output power in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology
بواسطة: Hou, Debin, وآخرون
منشور في: (2013) -
Practical Forgeries and Distinguishers against PAES
بواسطة: Jean, Jérémy, وآخرون
منشور في: (2016) -
An 8mW ultra low power 60GHz direct-conversion receiver with 55dB gain and 4.9dB noise figure in 65nm CMOS
بواسطة: Shang, Yang, وآخرون
منشور في: (2013) -
A 10-Gb/s inductor-less variable gain amplifier with a linear-in-dB characteristic and DC-offset cancellation
بواسطة: Liu, Chang, وآخرون
منشور في: (2013)