A 9% power efficiency 121-to-137GHz phase-controlled push-push frequency quadrupler in 0.13μm SiGe BiCMOS
High-data-rate short-range communication and image systems beyond 100GHz impose crucial requirements on signal sources, demanding superior purity and stability. Using frequency multipliers with high efficiency and multiplication factor to generate the Nth harmonic signal that is phase-locked by a PL...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Wang, Yong, Goh, Wang Ling, Xiong, Yong-Zhong |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97989 http://hdl.handle.net/10220/13235 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A 19.2 > 45 dB gain and high-selectivity 94 GHz LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS
بواسطة: Bi, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
A 311.6 GHz phase-locked loop in 0.13 μm SiGe BiCMOS process with –90 dBc/Hz in-band phase noise
بواسطة: Liang, Yuan, وآخرون
منشور في: (2020) -
A 19.2 > 45 dB gain and high-selectivity 94 GHz LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS
بواسطة: Bi, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
Development of NTU CMOS process for SiGe BiCMOS technology
بواسطة: Wang, Jianpeng.
منشور في: (2008) -
A D-band cascode amplifier with 24.3 dB gain and 7.7 dBm output power in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology
بواسطة: Hou, Debin, وآخرون
منشور في: (2013)