An 8mW ultra low power 60GHz direct-conversion receiver with 55dB gain and 4.9dB noise figure in 65nm CMOS
An ultra low power direct-conversion receiver is demonstrated for V-band 60GHz applications in 65nm CMOS process. The power consumption is significantly reduced by the design of low-power low noise amplifier (LNA), transconductance mixer and variable gain amplifier (VGA). A compact quadrature-hybrid...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Shang, Yang, Cai, Deyun, Fei, Wei, Yu, Hao, Ren, Junyan |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/99096 http://hdl.handle.net/10220/12696 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
A 4 GHz 60 dB variable gain amplifier with tunable DC offset cancellation in 65 nm CMOS
بواسطة: Kumar, Thangarasu Bharatha, وآخرون
منشور في: (2015) -
A 16-mW 1-GS/s with 49.6-dB SNDR TI-SAR ADC for software-defined radio in 65-nm CMOS
بواسطة: Qiu, Lei, وآخرون
منشور في: (2019) -
D-band surface-wave modulator and signal source with 40 dB extinction ratio and 3.7 mW output power in 65 nm CMOS
بواسطة: Liang, Yuan, وآخرون
منشور في: (2020) -
Design of a wideband variable-gain amplifier with self-compensated transistor for accurate dB-linear characteristic in 65 nm CMOS technology
بواسطة: Kong, Lingshan, وآخرون
منشور في: (2020) -
A 27–41 GHz frequency doubler with conversion gain of 12 dB and PAE of 16.9%
بواسطة: Li, Jiankang, وآخرون
منشور في: (2013)