High-performance inkjet printed carbon nanotube thin film transistors with high-k HfO2 dielectric on plastic substrate
Inkjet printing is used to fabricate CN-TFT devices on PET substrate with 70 nm HfO2 gate dielectric. By varying the amount of printing, effective mobility can be raised to 43 cm2 V−1 s−1 with on/off ratio ≥ 104 for devices with channel length 160 μm. This demonstrates that inkjet printing is promis...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/99135 http://hdl.handle.net/10220/10395 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|