Growth mechanisms in thin film epitaxy of Si/SiGe from hydrides

• المؤلفون الرئيسيون: Zhang, J., Woods, N.J., Breton, G., Price, R.W., Hartell, A.D., Lau, G.S., Liu, R., Wee, A.T.S., Tok, E.S.
• مؤلفون آخرون: INSTITUTE OF ENGINEERING SCIENCE
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Epitaxial; Heterojunction; Hydride
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113115

10.1016/S0921-5107(01)00842-X