Thermal stability of rare-earth based ultrathin Lu2 O3 for high- k dielectrics
10.1116/1.2749526
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Darmawan, P., Lee, P.S., Setiawan, Y., Lai, J.C., Yang, P. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | SINGAPORE SYNCHROTRON LIGHT SOURCE |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/116652 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Thermal stability of rare-earth based ultrathin Lu2O3 for high-k dielectrics
بواسطة: Darmawan, P., وآخرون
منشور في: (2012) -
Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2 O3 high- k dielectric
بواسطة: Darmawan, P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric
بواسطة: Darmawan, P., وآخرون
منشور في: (2012) -
Trap-controlled behavior in ultrathin Lu2O3 high-k gate dielectrics
بواسطة: Yuan, C. L., وآخرون
منشور في: (2013) -
Formation of SiO2 nanocrystals in Lu2O3 high-k dielectric by pulsed laser ablation and application in memory device
بواسطة: Yuan, C. L., وآخرون
منشور في: (2013)