Germanium MOSFETs with high-K gate dielectric and advanced source/drain structure

Ph.D

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: ZHANG QINGCHUN
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2010
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/16234
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore
اللغة: English