Germanium MOSFETs with high-K gate dielectric and advanced source/drain structure
Ph.D
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | ZHANG QINGCHUN |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/16234 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Schottky source/drain transistor integrated with high-k and metal gate for sub-tenth nm technology
بواسطة: LI RUI
منشور في: (2010) -
Drive-current enhancement in Ge n-Channel MOSFET using laser annealing for source/drain activation
بواسطة: Zhang, Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on Germanium substrate for future CMOS technology
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
Pt-germanide formed by laser annealing and its application for schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor integrated with TaN/chemical vapor deposition HfO2/Ge gate stack
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
Pt-germanide schottky source/drain germanium p-MOSFET with HfO2 gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014)