Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n-channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation

• المؤلفون الرئيسيون: Wu, N., Zhang, Q., Balasubramanian, N., Chan, D.S.H., Zhu, C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Bias temperature instability (BTI); Charge trapping; Germanium; HfO2; High-κ gate dielectrics; MOSFET
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82037

10.1109/TED.2007.892358