Chemical Vapor Deposition of High-Quality Large-Sized MoS2Crystals on Silicon Dioxide Substrates
10.1002/advs.201600033
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chen J., Tang W., Tian B., Liu B., Zhao X., Liu Y., Ren T., Liu W., Geng D., Jeong H.Y., Shin H.S., Zhou W., Loh K.P. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | CHEMISTRY |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2020
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/174622 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Vacuum level dependent photoluminescence in chemical vapor deposition-grown monolayer MoS 2
بواسطة: Sun, L, وآخرون
منشور في: (2020) -
Infrared reflectance study of chemical vapor deposition grown 3C-silicon carbide on silicon substrate
بواسطة: Chang, W.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Transport properties of monolayer MoS2 grown by chemical vapor deposition
بواسطة: Schmidt, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Excimer-laser-induced micropatterning of silicon dioxide on silicon substrates
بواسطة: Yu, J.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Vacuum level dependent photoluminescence in chemical vapor deposition-grown monolayer MoS
2
بواسطة: Sun, Linfeng, وآخرون
منشور في: (2018)