Effects of surface smoothness and deposition temperature of floating gates in flash memory devices to oxide/nitride/oxide interpoly dielectric breakdown

10.1023/A:1006745528344

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Cha, C.L., Chor, E.F., Gong, H., Chan, L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50552
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!