Effects of surface smoothness and deposition temperature of floating gates in flash memory devices to oxide/nitride/oxide interpoly dielectric breakdown
10.1023/A:1006745528344
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50552 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|