Experimental evidence of interface-controlled mechanism of quasi-breakdown in ultrathin gate oxide

• المؤلفون الرئيسيون: Guan, H., Cho, B.J., Li, M.F., Xu, Z., He, Y.D., Dong, Z.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50559

10.1109/16.918254