Enhancement mode GaAs metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor integrated with thin AlN surface passivation layer and silicon/phosphorus coimplanted source/drain

• المؤلفون الرئيسيون: Gao, F., Lee, S.J., Kwong, D.L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55890

10.1116/1.3025909