Metal gate technology for nanoscale transistors - Material selection and process integration issues

10.1016/j.tsf.2004.05.039

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	High-k dielectric materials Metal gate Transistor Work function
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56607
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الوصف
الملخص:	10.1016/j.tsf.2004.05.039

مواد مشابهة