Dopant-free FUSI PtxSi metal gate for high work function and reduced Fermi-level pinning

10.1109/LED.2005.857711

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Park, C.S., Cho, B.J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	High-κ Metal gate Work function
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82170
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة