SILICON NITRIDE FILMS PREPARED BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (PECVD) OF SiH//4/NH//3/N//2 MIXTURES: SOME PHYSICAL PROPERTIES.

• المؤلفون الرئيسيون: Ling, C.H., Kwok, C.Y., Prasad, K.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62763

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes