Scaling properties of GOI MOSFETs in naon scale by full band Monte Carlo simulation

International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICT

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Liu, X.Y., Du, G., Xia, Z.L., Kang, J.F., Wang, Y., Han, R.Q., Yu, H.Y., Li, M.-F., Kwong, D.L.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	GOI Monte Carlo Quantum effect Scaling
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/71705
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة