Ultimate performance projection of ballistic III-V ultra-thin-body MOSFET
10.1109/INEC.2013.6466005
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Guo, Y., Lam, K.-T., Yeo, Y.-C., Liang, G. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72114 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Investigation of Thickness and Orientation Effects on the III-V DG-UTB FET: A Simulation Approach
بواسطة: GUO YAN
منشور في: (2013) -
Blast and ballistic resistance of ultra-high strength steel
بواسطة: Ma, C.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Ballistic transport performance of silicane and germanane transistors
بواسطة: Low, K.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Active ballistic orbital transport in Ni/Pt heterostructure
بواسطة: Mishra, Sobhan Subhra, وآخرون
منشور في: (2024) -
Modelling crimp in woven fabrics subjected to ballistic impact
بواسطة: Tan, V.B.C., وآخرون
منشور في: (2014)