Comparison of Fowler-Nordheim stress on tungsten polycided and non-polycided MOS capacitors

• المؤلفون الرئيسيون: Ooi, J.A., Ling, C.H.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72525

IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings, ICSE