Formation of In-rich regions at the perphery of the inverted hexagonal pits of InGaN thin-films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Materials Research Society Symposium - Proceedings
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Li, P., Chua, S.J., Hao, M., Wang, W., Zhang, X., Sugahara, T., Sakai, S. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72643 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
The formation of In-rich regions at the perphery of the inverted hexahonal pits of InGaN thin-films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
بواسطة: Li, P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Luminescence, morphology and X-ray diffraction features of InGaN materials grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
بواسطة: Li, P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Phase separation in Zn-doped InGaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
بواسطة: Feng, Z.C., وآخرون
منشور في: (2014) -
InGaN self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical-vapor deposition with indium as the antisurfactant
بواسطة: Zhang, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Growth of InN and its effect on InGaN epilayer by metalorganic chemical vapor deposition
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)