Enhanced blue-light emission from InGaN/GaN quantum wells grown over multilayered buffer on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition
Physica Status Solidi (B) Basic Research
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Zhang, X., Chua, S.-J., Liu, W., Li, P. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80400 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization of graded InGaN/GaN epilayers grown on sapphire
بواسطة: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
On the origin of the redshift in the emission wavelength of InGaN/GaN blue light emitting diodes grown with a higher temperature interlayer
بواسطة: Kyaw, Z., وآخرون
منشور في: (2012) -
Deep level centers in InGaN/GaN heterostructure grown on sapphire and free-standing GaN
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014) -
Strain relaxation in graded InGaN/GaN epilayers grown on sapphire
بواسطة: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2014) -
The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)