Formation of voids in Ti-salicided BF+ 2-doped submicron polysilicon lines

Journal of Applied Physics

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Chua, H.N., Pey, K.L., Lai, W.H., Siah, S.Y.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80447
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!