Breakdown of reoxidized nitrided oxide (ONO) in Flash memory devices upon current stressing

• المؤلفون الرئيسيون: Cha, C.L., Chor, E.F., Gong, H., Zhang, A.Q., Chan, L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81384
• المؤسسة: National University of Singapore

Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting