Breakdown of reoxidized nitrided oxide (ONO) in Flash memory devices upon current stressing
Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81384 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |