Fabrication and characterization of a trilayer germanium nanocrystal memory device with hafnium dioxide as the tunnel dielectric

• المؤلفون الرئيسيون: Ng, T.H., Ho, V., Teo, L.W., Tay, M.S., Koh, B.H., Chim, W.K., Choi, W.K., Du, A.Y., Tung, C.H.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Charge retention; Charge storage; Germanium nanocrystals; High-κ tunnel dielectric; Memory device
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82330

10.1016/j.tsf.2004.05.046