Flicker noise and its degradation characteristics under electrical stress in MOSFETs with thin strained-Si/SiGe dual-quantum well

• المؤلفون الرئيسيون: Jiang, Y., Loh, W.Y., Chan, D.S.H., Xiong, Y.Z., Ren, C., Lim, Y.F., Lo, G.Q., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Electrical stress; Flicker noise; Interface traps; Si/SiGe dual-quantum well (DQW)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82368
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2007.899763