N2O oxidation of strained-Si/relaxed-SiGe heterostructure grown by UHVCVD

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, C.S., Choi, W.K., Bera, L.K., Pey, K.L., Antoniadis, D.A., Fitzgerald, E.A., Currie, M.T., Maiti, C.K.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: N2O oxidation; Strained-Si/relaxed-SiGe heterostructure
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82738

10.1016/S0038-1101(01)00238-6