Generation-Recombination Noise in the Near Fully Depleted SIMOX SOI n-MOSFET - Physical Characteristics and Modeling
10.1109/TED.2003.819371
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ang, D.S., Lun, Z., Ling, C.H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82406 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Generation-recombination noise in the near fully depleted SIMOX N-MOSFET operating in the linear region
بواسطة: Ang, D.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY: CHARACTERISATION OF SYSTEM NOISE AND IMAGE QUALITY
بواسطة: KO ZHEN YU, GORDON
منشور في: (2020) -
Effect of Shot Noise and Secondary Emission Noise in Scanning Electron Microscope Images
بواسطة: Sim, K.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF SOI MOSFETS
بواسطة: LUO SIQI
منشور في: (2019) -
Spatial evaluation of environmental noise with the use of participatory sensing system in Singapore
بواسطة: Diong, Huey Ting, وآخرون
منشور في: (2022)