Germanium-tin p-channel tunneling field-effect transistor: Device design and technology demonstration

• المؤلفون الرئيسيون: Yang, Y., Han, G., Guo, P., Wang, W., Gong, X., Wang, L., Low, K.L., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Band-to-band tunneling; direct bandgap; germanium-tin; p-channel tunneling field-effect transistor (p-TFET)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82418
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/TED.2013.2287031