Interface engineering for InGaAs n-MOSFET application using plasma PH 3-N2 passivation

• المؤلفون الرئيسيون: Oh, H.-J., Suleiman, S.A.B., Lee, S.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82554

10.1149/1.3489946