Source engineering for tunnel field-effect transistor: Elevated source with vertical silicon-germanium/germanium heterostructure

• المؤلفون الرئيسيون: Han, G., Guo, P., Yang, Y., Fan, L., Yee, Y.S., Zhan, C., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83038

10.1143/JJAP.50.04DJ07