Asymmetric energy distribution of interface traps in germanium MOSFETs with HfO2 gate dielectric

• المؤلفون الرئيسيون: Xie, R., Wu, N., Shen, C., Zhu, C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83500
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1149/1.2986766