Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices

• المؤلفون الرئيسيون: Ren, C., Faizhal, B.B., Chan, D.S.H., Li, M.-F., Yeo, Y.-C., Trigg, A.D., Balasubramanian, N., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Lanthanide; Metal gate electrode; Metal nitride; Work function tuning
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84367

10.1016/j.tsf.2005.09.081