Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitors

• المؤلفون الرئيسيون: Kim, S.J., Cho, B.J., Li, M.-F., Zhu, C., Chin, A., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Others
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Capacitance density; Co-sputtering; HfO2; Lanthanide; Metal-insulator-metal (MIM) capacitor; Voltage coefficient of capacitor (VCC)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84412

10.1109/LED.2003.814024