Photoluminescence of InAs quantum dots embedded in graded InGaAs barriers
10.1007/s11051-008-9551-4
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Yin, Z., Tang, X., Zhang, J., Zhao, J., Deny, S., Gong, H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/86647 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Compositional effect on the optical absorption and photoluminescence ofCdSxSe1-x quantum dots embedded in borosilicate glasses
بواسطة: Kumar, J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Impurity free vacancy disordering of InAs/GaAs quantum dot and InAs/InGaAs dot-in-a-well structures
بواسطة: Chia, C.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Testing the upper limit of InAs/GaAs self-organized quantum dots density by fast growth rate
بواسطة: Chia, C.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Quantitative strain analysis of InAs/GaAs quantum dot materials
بواسطة: Vullum, Per Erik, وآخرون
منشور في: (2018) -
Effects of annealing on performances of 1.3-?m InAs-InGaAs-GaAs quantum dot electroabsorption modulators
بواسطة: Lee, S.Y, وآخرون
منشور في: (2020)